- STMicroelectronics
- 4V @ 250µA
- ±25V
- MOSFET (Metal Oxide)
- TO-220FP
- MDmesh™ II Plus
- 280mOhm @ 6.5A, 10V
- 25W (Tc)
- TO-220-3 Full Pack
- Tube
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Through Hole
- 791 pF @ 100 V
- 21.5 nC @ 10 V
- N-Channel
- -
- 10V
- 600 V
- 13A (Tc)
- STF18
| Produkteigenschaften |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| Artikelnummer | STF18N65M2 | STF18NM60N | STF16N65M2 | STF15NM60ND |
| Hersteller | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| FET-Merkmal | - | - | - | - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | - | - | - | - |
| Befestigungsart | - | - | - | - |
| Grundproduktnummer | - | - | - | - |
| Vgs (Max) | - | - | - | - |
| Supplier Device-Gehäuse | - | - | - | - |
| Betriebstemperatur | - | - | - | - |
| Verlustleistung (max) | - | - | - | - |
| Paket | - | Bulk | Bulk | Bulk |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | - | - | - | - |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - | - | - | - |
| Technologie | - | - | - | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - | - | - | - |
| VGS (th) (Max) @ Id | - | - | - | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - | - | - | - |
| Typ FET | - | - | - | - |
| Serie | - | * | * | * |
| Verpackung / Gehäuse | - | - | - | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - | - | - | - |
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