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HerstellerLAPIS Technology
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)50 V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA
Transistor-TypNPN - Pre-Biased
Supplier Device-GehäuseSMT3
Serie-
Widerstand - Emitterbasis (R2)10 kOhms
Widerstand - Basis (R1)4.7 kOhms
Leistung - max200 mW

Verpackung / GehäuseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PaketTape & Reel (TR)
BefestigungsartSurface Mount
Frequenz - Übergang250 MHz
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE30 @ 10mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)100 mA
GrundproduktnummerDTC143

1.DTC143XKAT146.pdf 2.DTC143XKAT146.pdf 3.DTC143XKAT146.pdf 4.DTC143XKAT146.pdf 5.DTC143XKAT146.pdf 6.DTC143XKAT146.pdf 7.DTC143XKAT146.pdf 8.DTC143XKAT146.pdf 9.DTC143XKAT146.pdf

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Produkteigenschaften
Artikelnummer	DTC143TKAT146	DTC143EKAT146	DTC143ZKAT146	DTC124TKAT146
Hersteller	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor
Verpackung / Gehäuse	-	-	-	-
Paket	-	Bulk	Bulk	Bulk
Frequenz - Übergang	-	-	-	-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	-	-	-	-
Widerstand - Emitterbasis (R2)	-	-	-	-
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	-	-	-	-
Widerstand - Basis (R1)	-	-	-	-
Supplier Device-Gehäuse	-	-	-	-
Befestigungsart	-	-	-	-
Leistung - max	-	-	-	-
Strom - Collector Cutoff (Max)	-	-	-	-
Strom - Kollektor (Ic) (max)	-	-	-	-
Grundproduktnummer	-	-	-	-
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	-	-	-	-
Serie	-	*	*	*
Transistor-Typ	-	-	-	-

Bitte die englische Version als offizielle Version nehmenZurück

DTC143XKAT146

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